ASBIS novice

Januar 14, 2024
Vroča ponudba: Izkoristite posebno akcijo podjetja AENO za vrhunske modele ...
Oktober 29, 2023
ASBIS širi pokritost Pure Storage na 9 novih držav v srednji in vzhodni Evropi. ...
Avgust 29, 2023
AENO, priznana in napredna znamka na področju gospodinjskih aparatov, je ...
November 17, 2022
Obsežen portfelj strežnikov in sistemov za shranjevanje, ki jih poganjajo ...
November 04, 2022
Prvi igralni grafični procesorji na svetu s tehnologijo Chiplet. Grafika serije ...
September 26, 2022
AENO, mlada dinamična blagovna znamka pametnih gospodinjskih aparatov, širi ...
September 15, 2022
Nov strežnik 8U z grafičnimi procesorji NVIDIA H100/A100 povečuje zmogljivost ...
Julij 12, 2022
Distributer z dodano vrednostjo je znatno povečal bazo strank za svojega ...
Julij 04, 2022
Loewe je vrhunska blagovna znamka za televizorje, prepoznavna po svojih ...
Junij 29, 2022
ASBIS bo svojim strankam v regiji EMEA ponudil omrežne rešitve Edgecore
Intel načrtuje reorganizacijo tovarne v Novi Mehiki

Februar 27, 2007

Intel načrtuje reorganizacijo tovarne v Novi Mehiki

Intel je sporočil, da namerava v svojo tovarno Fab 11X v mestu Rio Rancho v Novi Mehiki investirati med 1 in 1,5 milijarde USD za reorganizacijo proizvodnje, po kateri bo v tovarni mogoča proizvodnja z Intelovim revolucionarnim 45-nanometrskim proizvodnim postopkom. Fab 11X bo tako že četrta Intelova tovarna, ki bo uporabljala omenjeni postopek, s proizvodnjo po novem postopku pa bo po načrtih začela v drugi polovici prihodnjega leta.

Intel je prvo podjetje, ki  je naredilo enega največjih napredkov v temeljni zasnovi tranzistorja, s tem da namerava v svojem 45-nanometrskem proizvodnem postopku uporabiti inovativno kombinacijo novih materialov, ki znatno zmanjšajo izgubo elektrike iz tranzistorjev in povečajo njihovo zmogljivost. Podjetje bo v letošnjem letu pričelo s proizvodnjo izdelkov, narejenih s proizvodnim procesom, v katerem bo uporabilo nov material, imenovan "high-k", za dielektrik tranzistorjevih vrat in novo kombinacijo kovinskih materialov za elektrodo tranzistorjevih vrat.

 

Disclaimer:The information contained in each press release posted on this site was factually accurate on the date it was issued. While these press releases and other materials remain on the Company's website, the Company assumes no duty to update the information to reflect subsequent developments. Consequently, readers of the press releases and other materials should not rely upon the information as current or accurate after their issuance dates.